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产品信息
DMN2250UFB 场效应管MOS 送样
安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: X1-DFN1006-3 通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.35 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 350 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V Qg-栅极电荷: 3.1 nC
工作温度: - 55 C 工作温度: + 150 C DMN2250UFB 场效应管MOS 送样
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W) 配置: Single 通道模式: Enhancement 系列: DMN22 晶体管类型: 1 N-Channel
下降时间: 25.4 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 6.1 ns 工厂包装数量: 10000
典型关闭延迟时间: 59.4 ns 典型接通延迟时间: 4.3 ns
DMN2250UFB 场效应管MOS 送样